用减小p^+-n^+结隧穿电流的方法来改进Si/SiGe/Si HBT的基极电流

Z Matutinovic-Krstelj; 齐学参

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本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Sip^+-n^+结的实验结果,与过去报道的用离子注入法制作的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级。这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。

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来源
《微纳电子技术》 |1993年第2期|49-51|共4页
作者
Z Matutinovic-Krstelj; 齐学参;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极晶体管; 基极电流; 改进; p-n结;

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