罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

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正罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。罗姆表示,此次通过开发自主的工艺技术和筛选法,解

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来源
《半导体信息》 |2011年第1期|P.7-8|共2页
作者
章从福;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子工业;
关键词
功率晶体管; SiC; 罗姆; 通用产品; 定制产品; 导通电阻; 产品阵容; 封装面积; 工艺技术; 筛选法;

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