三星3纳米MBCFET技术明年亮相

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三星晶圆厂将成为第一家在即将到来的3nm工艺中使用类似全栅场效应晶体管(GAAFET)结构的半导体制造商。虽然该节点尚未准备就绪,但在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星晶圆厂的工程师分享了有关即将推出的3nm GAE MBCFET(multi-bridge channel FET)制造技术的一•些细节。据介绍,有两种类型的GAAFET:典型的GAAFET,这被称为具有“薄”鳍的纳米线。以及MBCFET,称为具有“厚”鳍的纳米片。

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《半导体信息》 |2021年第2期|P.21-22|共2页
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正文语种 chi
中图分类世界工业经济;
关键词
晶圆厂; 半导体制造商; 场效应晶体管; 准备就绪; 三星; MBC; FET; 两种类型;

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