3月9日消息,中国台湾半导体研究中心(TSRI)与日本产业技术总合研究所(AIST)合作,开发新型晶体管结构。日本媒体指出,这有助制造2nm以下线宽、规划应用在2024年后的新一代先进半导体。中国台湾半导体研究中心在去年12月下旬公布,于IEEE国际电子组件会议IEDM(International Electron Devices Meeting)在线会议中,与日本产业技术总合研究所共同开发低温芯片键合技术;相关技术可将不同通道材料的基板,直接键合成一个基板,并应用在互补式晶体管组件上。
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