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Z-半导体敏感元件原理与应用——(2)Z-元件的研制实践与工作机理的定性分析

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摘要

本文给出了Z-元件的p+-p-n-.i-n+实际结构,并详细分析了发生在掺金γ-硅区n-.i中的微电子过程.提出了Z-元件结构中"管道击穿"和"管道雪崩击穿"的新概念;建立了"管道击穿"模型.本文可供Z-元件研制与应用开发领域参考.

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来源
《传感器世界》 |2001年第4期|1-8|共8页
作者
周长恩; 傅云鹏; 张靖环; 王健林;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类自动化技术及设备;
关键词
Z-元件; 管道击穿; 雪崩击穿; 管道雪崩击穿;

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