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电针水沟穴对全脑缺血昏迷大鼠脑组织谷氨酸转运体-1γ-氨基丁酸转运体-1的影响

         

摘要

目的观察电针水沟穴对全脑缺血昏迷模型大鼠脑组织内谷氨酸转运体1(EAAT-1)和γ-氨基丁酸转运体-1(GAT-1)表达的影响。方法 80只SD大鼠随机分为假手术组、模型组、针刺组、药物组和针药组;制备全脑缺血性昏迷模型大鼠,针刺组和针药组于造模成功后30min进行首次电针水沟穴治疗,直至处死时间段为止每6h针1次,每次留针时间5min;同时药物组和针药组,于造模成功后30min每只腹腔注射胞磷胆碱钠注射液0.1g,每6h1次。24h后断头取脑,使用计算机图像分析系统测定经免疫组织化学染色处理的大鼠脑组织EAAT-1、GAT-1的平均吸光度(A)值,比较各组之间的差异。结果①各组与模型组和假手术组标本内EAAT-1的A值比较差异均有统计学意义(P0.05);针刺组与针药组比较差异无统计学意义(P>0.05),但2组分别与药物组比较差异有统计学意义(P0.05)。结论电针水沟穴可以提高全脑缺血昏迷模型大鼠脑组织内EAAT-1和GAT-1的表达。

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