空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量辐射效应试验研究

薛玉雄; 曹洲; 郭祖佑; 杨世宇; 田恺

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文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究.在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压,漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标.研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据.

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来源
《航天器环境工程》 |2008年第1期|10-14|共5页
作者
薛玉雄; 曹洲; 郭祖佑; 杨世宇; 田恺;
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作者单位

兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000;

兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000;

兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000;

兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000;

兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
辐射效应; 功率MOSFET器件; 总剂量; γ射线;

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