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磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜及其特性研究

         

摘要

多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途.利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/A1)复合膜,将A1原子团包覆在α-Si基质中,膜中的AI含量可通过A1和Si的溅射功率比来调节.复合膜于N2气氛中进行350℃,10 min快速退火处理,制备出了多晶硅薄膜.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和紫外-可见光-近红外分光光度计对多晶硅薄膜的性能进行表征,研究了Al含量对多晶硅薄膜性能的影响.结果表明:共溅射法制备的α-Si/A1复合膜在低温光热退火下晶化为晶粒分布均匀的多晶硅薄膜;随着膜中A1含量逐渐增加,多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸逐渐增加,带隙则逐渐降低;Al/Si溅射功率比为0.1时可获得纳米晶硅薄膜,Al/Si溅射功率比为0.3时得到晶化率较高的多晶硅薄膜,通过A1含量的调节可实现多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸及带隙的可控.

著录项

  • 来源
    《光谱学与光谱分析》 |2016年第3期|635-639|共5页
  • 作者单位

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

    可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南昆明650092;

    云南师范大学太阳能研究所,云南昆明650092;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 材料;
  • 关键词

    共溅射; 铝诱导晶化; 低温退火; 多晶硅; 特性;

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