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磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

         

摘要

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜.得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光.观测到了纵光学波(LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰;室温(300K)下,PL谱中仅有自由激子发光峰.这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量.探讨了变温ZnO薄膜的发光特性.研究了ZnO薄膜的受激发射特性.

著录项

  • 来源
    《光谱学与光谱分析》 |2004年第7期|775-778|共4页
  • 作者单位

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜物理学;
  • 关键词

    ZnO薄膜; 受激发射; 激子; 磁控溅射;

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