电迁移诱发夹杂形貌演化的相场模拟

张嘉明; 黄佩珍

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集成电路的内连导线中不可避免地存在孔洞、夹杂等微缺陷。在不同的内在物理机制以及外界驱动力作用下,微缺陷会出现不同的形貌演化,甚至会失稳发生分裂,从而影响内连导线的各种性能。基于固体材料中微结构演化的基本理论框架,建立了电迁移诱发界面扩散下夹杂演化的相场模型,采用有限单元法进行数值模拟。模拟结果表明,电迁移作用下,夹杂会沿电场方向发生漂移,且夹杂与基体的电导率之比越大对应的漂移速度越慢。随着电场强度的增大,电导率小的夹杂越容易发生分裂,且分裂所需的时间越短。随着初始形态比的增大,电导率小的夹杂越容易发生多次分裂,且分裂所需的时间越长;而电导率大的夹杂形貌越稳定,会逐渐形成电场方向上狭长的指状延伸。

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来源
《系统仿真技术》 |2021年第4期|226-230|共5页
作者
张嘉明; 黄佩珍;
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作者单位

南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类一般性问题;
关键词
电迁移; 界面扩散; 相场模拟; 有限单元法; 夹杂;

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