SiC材料及器件在UPS中的应用

黄詹江勇

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作为第3代半导体的核心材料,宽带隙半导体材料SiC及其器件制造技术,近年来得到了迅速发展.与传统半导体Si和GaAs相比,具有优良性质的SiC特别适用于制作高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件.文章利用SiC在UPS产品中的应用,在工作原理与系统损耗分析的基础上,采用SiC二极管代替传统Si二极管,通过实验和对比分析,验证了在PFC变换器中使用SiC二极管对系统整机效率的提升.

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来源
《企业技术开发（学术版）》 |2017年第7期|44-4649|共3页
作者
黄詹江勇;
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作者单位

厦门科华恒盛股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;电源;
关键词
SiC; 材料; 半导体功率器件; UPS;

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