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第一性原理计算V掺杂Ca2Si几何结构与能带结构

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文章采用第一性原理方法计算了V掺杂Ca2Si几何结构和能带结构.计算结果表明,V掺杂后晶胞体积、总能量减小.能带结构上,V置换CaⅠ的带隙变宽为0.42eV,V置换CaⅡ的带隙变窄为0.17eV,费米能级都进入导带,导电类型为n型.

著录项

来源
《科技创新与应用》 |2019年第23期|36-37|共2页
作者
邓永荣; 骆远征;
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作者单位

安顺学院电子与信息工程学院;

贵州安顺 561000;

安顺学院数理学院;

贵州安顺 561000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
第一性原理; 掺杂; 能带结构; 几何结构;

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