硫原子吸附黑磷表面的第一性原理计算

胡俊灵

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cqvip:近年来,一种新型的二维半导体材料黑磷,由于其特殊的物理性质而引起广泛关注。文章利用第一性原理系统研究了硫原子吸附在黑磷表面浓度对带隙的影响。研究发现原子在2×2的超胞中吸附时带隙由原始0.81eV变为1.06eV,同时增大了结构的稳定性。当我们改变吸附浓度带隙值也随之改变,结果显示硫原子吸附黑磷表面在2×2-2,3×3-2,4×4-2,2×2,3×3,4×4的超胞中,硫原子双边吸附在黑磷表面时吸附能量负的更大。

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来源
《科技创新与应用》 |2019年第33期|13-14|共2页
作者
胡俊灵;
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作者单位

西南大学重庆 400700;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类吸附理论;
关键词
二维材料黑磷双边吸附; 单边吸附; 硫原子;

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