抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计

王文月; 牛萍娟

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抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计

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与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiC MOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重.而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延时与开关损耗且控制程度复杂.因此文章结合有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰的方法,提出了一种改进驱动电路.首先阐明SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理.其次,在有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰前提下,基于控制辅助三极管开通与关断,注入栅极电流思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容的改进驱动电路方法,并分析了其工作原理,给出了设计参数.最后,搭建了双脉冲测试平台,对抑制瞬态电压尖峰的改进驱动电路实用性及有效性进行了验证.

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来源
《科技创新与应用》 |2021年第14期|21-2327|共4页
作者
王文月; 牛萍娟;
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作者单位

天津工业大学电气工程与自动化学院天津 300000;

天津工业大学电子与信息工程学院天津 300000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变流器;
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应管; 电压尖峰; 驱动电路;

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