宽带低噪声放大器的设计

叶波涛

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宽带低噪声放大器的设计

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为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μmGaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带范围超宽的单片微波式集成低噪音放大装置.应用6级分布形式拓扑方案,逐级应用共栅共源的主要构造并且设置去耦型电容,用以提升放大器的增益,优化增益图形的平坦程度,拓宽放大器的运行带宽.通过仿真模拟表明:该放大器位于(0.85～31.5)GHz范围内,其增益达到(15.5±1)dB,最大噪音系数10.5dBm,芯片模块面积是(2.15×1.25)mm.

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来源
《科技创新与应用》 |2021年第25期|79-81|共3页
作者
叶波涛;
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作者单位

中国船舶重工集团公司第八研究院江苏扬州 225001;

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正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
分布式放大器; GaAs pHEMT工艺; 超宽带; 单片微波集成电路;

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