大面积MoS_(2)薄膜制备及其光电性能研究

王婉玉

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大面积MoS_(2)薄膜制备及其光电性能研究

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摘要

二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题。文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO_(3))的方法实现大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜材料的制备。区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO_(3)作为Mo源,以固定MoS_(2)薄膜的成核位点。研究结果表明,该方法可实现双层的大面积MoS_(2)薄膜。进一步,将制备的双层大面积MoS_(2)薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究,在532 nm的激光照射下,实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度。预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中。

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来源
《科技创新与应用》 |2022年第18期|60-63|共4页
作者
王婉玉;
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作者单位

长春理工大学物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ136.12;
关键词
MoS_(2); MoO_(3); CVD; 光电性能;

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