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王保柱; 孟立智; 宋江; 王敏;
河北科技大学信息科学与工程学院 河北石家庄050018;
GaN及其合金Al0.25Ga0.75N; VASP; 第一性原理; 热电优值;
机译:Ga掺杂的p型Mg_2Si和Mg_2Si_(0.6)Ge_(0.4)化合物的热电性质和电子结构
机译:从第一性原理计算得出n型和p型SnSe的电子结构和热电性能
机译:Mg-intertitial掺杂和Mg替代的电子结构和光学性质的比较研究掺杂Al0.25Ga0.75N
机译:第一原理计算新型热电的电子结构与性质
机译:热电半赫斯勒和硼化物相的电子结构性质和键合模型。
机译:熔体纺丝和等离子烧结制备P型YbxFe3CoSb12的相形成行为和热电输运性质
机译:n型和p型snse的电子结构和热电性质 从第一原理计算
机译:p型Irsb(sub 3)的热电性质建模
机译:P型半导体材料,P型热电元件,热电转换模块,排气装置,制造P型半导体材料的方法以及制造P型热电元件的方法
机译:具有p型热电性质的复合氧化物。
机译:P型热电转换材料,热电转换模块和生产P型热电转换材料的方法
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