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高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值

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摘要

文章由等离子体双极漂移方程和临界预充电荷条件出发,得出高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量表达式.从外电路和器件结构本身两方面分析了RSD的di/dt耐量的影响因素,并提出了改善di/dt耐量的措施,测试结果证明了理论分析的正确性.

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来源
《通信电源技术》 |2006年第5期|1-2,8|共3页
作者
刘宝生; 余岳辉; 梁琳; 周郁明;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电器;半导体技术;
关键词
脉冲功率技术; RSD; 半导体开关; di/dt特性;

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