基于IPD工艺的低频宽带高增益功率放大器设计

朱紫康; 银军; 王毅; 倪涛; 余若琪; 董世良; 刘泽

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基于IPD工艺的低频宽带高增益功率放大器设计

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介绍了一种覆盖P波段到S波段的低频GaN宽带高增益功率放大器的设计流程。通过采用集成无源器件(integrated passive device,IPD)技术,该放大器集成了驱动和末级功率放大器,其中末级功率放大器采用Lange电桥合成构成平衡结构。整个功率放大器在27.5 mm×30.6 mm×5.0 mm的载体尺寸内实现。测试结果显示在0.8 GHz~2.7 GHz频带内饱和输出功率在25.2~36.4 W,功率增益在24~25.62 dB,功率附加效率大于40.7%,最高功率附加效率达到了53.5%。

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来源
《通讯世界》 |2023年第1期|181-183|共3页
作者
朱紫康; 银军; 王毅; 倪涛; 余若琪; 董世良; 刘泽;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功率分配器;
关键词
GAN; IPD; 高增益; 宽带; 功率放大器;

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