X波段小型化高集成度130W功放载片研制

倪涛; 银军; 王毅; 余若祺; 李剑锋; 斛彦生; 李晶

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X波段小型化高集成度130W功放载片研制

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本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法.该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标.功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标.

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来源
《通讯世界》 |2019年第6期|3-4|共2页
作者
倪涛; 银军; 王毅; 余若祺; 李剑锋; 斛彦生; 李晶;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

河北石家庄050051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变频器、混频器;
关键词
GaN; X波段; 高集成度; 高增益; 小型化;

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