英飞凌推出62mm CoolSiC^TM模块,为碳化硅开辟新应用领域

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2020年7月14日,英飞凌科技股份公司为其1200V CoolSiC^TMOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250k W以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

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来源
《变频器世界》 |2020年第7期|P.25-25|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电气、电子工业;
关键词
IGBT模块; 英飞凌科技; 芯片技术; 中等功率; TM模; 模块封装; 拓扑设计; 碳化硅;

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