碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来?

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机译：微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管（HEmT），使用碳化硅（siC）上的2密耳氮化镓（GaN）。

机译：宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置

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机译：氮化镓（GaN）复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓（GaN）复合半导体晶体的制造方法