X 波段 GaAs 功率芯片共晶焊热应力分析

纪宣; 禹胜林; 杨军; 王韩; 候林; 唐丽蓉

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X 波段 GaAs 功率芯片共晶焊热应力分析

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随着电子封装集成度的不断提高，电子芯片的功率容量和发热量也越来越大，封装体内部温度分布不均以及产生的热应力影响芯片的可靠性。热沉作为电子设备主要的散热方式之一，被广泛使用。利用ANSYS有限元软件针对芯片-共晶层-热沉结构进行建模，通过有限元3 D模型模拟该封装结构在热循环温度-55～125℃条件下产生的热应力情况，研究了采用不同热沉材料共晶焊的应力。结果表明，该结构封装的最大应力出现在热沉下表面的4个拐角处。钨铜为热沉结构时应力值最大，AlSi50次之，AlN最小。研究结果对X波段功率模块封装设计提供了设计依据。

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来源
《焊接学报》 |2016年第12期|107-109|共3页
作者
纪宣; 禹胜林; 杨军; 王韩; 候林; 唐丽蓉;
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作者单位

南京信息工程大学电子与信息工程学院;

南京 210000;

南京信息工程大学电子与信息工程学院;

南京 210000;

成都亚光电子股份有限公司;

成都 610000;

成都亚光电子股份有限公司;

成都 610000;

成都亚光电子股份有限公司;

成都 610000;

成都亚光电子股份有限公司;

成都 610000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电焊材料;
关键词
电子芯片; 热应力; 可靠性; 热循环;

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