基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(2)/SiC复合结构瑞利波谐振器设计

刘智荣; 谢立强; 朱敏; 包文岐

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基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(2)/SiC复合结构瑞利波谐振器设计

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采用有限元法建立了ZnO/SiC,ZnO/SiO_(2)/SiC和SiO_(2)/ZnO/SiC这3种不同复合结构模型,仿真分析了ZnO薄膜厚度一定的情况下,不同厚度SiO_(2)薄膜对谐振器瑞利波相速度、机电耦合系数的影响,并根据分析结果设计出了基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(2)/SiC复合结构瑞利波谐振器的具体尺寸。结果表明:设计的谐振器激发出的瑞利波相速度为7268.1 m/s,且器件具有3.52%的高机电耦合系数。

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来源
《传感器与微系统》 |2022年第1期|75-77|共3页
作者
刘智荣; 谢立强; 朱敏; 包文岐;
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作者单位

陆军工程大学国防工程学院;

江苏南京210007;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212.3;
关键词
瑞利波; 谐振器; 有限元仿真; 相速度; 机电耦合系数;

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