溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜

陈佾; 沈杰; 徐伟; 严学俭; 章壮健; 华中一; 周峥嵘; 陶凤岗

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采用溶胶凝胶法制备了低介电常数SiO2 薄膜和SiOF薄膜 ,F的掺入明显地降低了SiO2 薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响 ,测量了 10～ 3 0 0kHz范围内电容随频率变化的曲线 ,并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明 ,F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶凝胶法制备掺F的SiO2 薄膜过程中各种因素对介电常数的影响。

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来源
《真空科学与技术学报》 |2002年第1期|10-14|共5页
作者
陈佾; 沈杰; 徐伟; 严学俭; 章壮健; 华中一; 周峥嵘; 陶凤岗;
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作者单位

复旦大学材料科学系;

复旦大学化学系;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
介电常数; 溶胶-凝胶法; 掺氟SiO2薄膜; 二氧化硅薄膜; 表面形貌; 制备;

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