X光照引起的Cu2p_(3/2)光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移

季振国; 袁骏; 许倩斐; 汪茫; 阙端麟; 郭伟民

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用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。

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来源
《真空科学与技术学报》 |2001年第1期|14-16|共3页
作者
季振国; 袁骏; 许倩斐; 汪茫; 阙端麟; 郭伟民;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

香港中文大学先进表面与材料分析中心;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
金属酞菁; 电荷转移; 光电子谱; 酞菁铜; 光电子峰位移; X光辐照;

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