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InP基长波长超辐射发光二极管的设计和制备

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摘要

文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄线宽光源.

著录项

来源
《无线互联科技》 |2021年第22期|17-18|共2页
作者
薛正群;
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作者单位

中国科学院福建物质结构研究所福建福州 350002;

福建中科光芯光电科技有限公司福建福州 350002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
InP; 长波长; 超辐射发光二极管; 高功率; 宽谱宽;

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