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【2h】

Studies of Hot Photoluminescence in PlasmonicallyCoupled Silicon via Variable Energy Excitation and Temperature-DependentSpectroscopy

机译：等离子体热发光的研究通过可变能量激励和温度相关的耦合硅光谱学

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By integrating silicon nanowires (∼150 nm diameter, 20 μm length) with an Ω-shaped plasmonic nanocavity, we are able to generate broadband visible luminescence, which is induced by high order hybrid nanocavity-surface plasmon modes. The nature of this super bandgap emission is explored via photoluminescence spectroscopy studies performed with variable laser excitation energies (1.959 to 2.708 eV) and finite difference time domain simulations. Furthermore, temperature-dependent photoluminescence spectroscopy shows that the observed emission corresponds to radiative recombination of unthermalized (hot) carriers as opposed to a resonant Raman process.
机译：通过将硅纳米线（直径约为150 nm，长度为20μm）与Ω型等离子体纳米腔集成在一起，我们能够产生宽带可见光，这是由高阶混合纳米腔表面等离子激元模式引起的。这种超级带隙发射的性质是通过使用可变的激光激发能（1.959至2.708 eV）和时域有限差分模拟进行的光致发光光谱研究来探索的。此外，与温度有关的光致发光光谱表明，观察到的发射对应于未加热（热）载流子的辐射复合，这与共振拉曼过程相反。

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