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【2h】

Microwave Annealing for NiSiGe Schottky Junction on SiGe P-Channel

机译：SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火

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In this paper, we demonstrated the shallow NiSiGe Schottky junction on the SiGe P-channel by using low-temperature microwave annealing. The NiSiGe-Si Schottky junction was formed for the Si-capped/SiGe multi-layer structure on an n-Si substrate (Si/Si0.57Ge0.43/Si) through microwave annealing (MWA) ranging from 200 to 470 °C for 150 s in N2 ambient. MWA has the advantage of being diffusion-less during activation, having a low-temperature process, have a lower junction leakage current, and having low sheet resistance (Rs) and contact resistivity. In our study, a 20 nm NiSiGe Schottky junction was formed by TEM and XRD analysis at MWA 390 °C. The NiSiGe-Si Schottky junction exhibits the highest forward/reverse current (ION/IOFF) ratio of ~3 × 105. The low temperature MWA is a very promising thermal process technology for NiSiGe Schottky junction manufacturing.
机译：在本文中，我们通过低温微波退火在SiGe P沟道上演示了浅NiSiGe肖特基结。通过200至470°的微波退火（MWA）在n-Si衬底（Si / Si0.57Ge0.43 / Si）上形成用于Si覆盖/ SiGe多层结构的NiSiGe / n-Si肖特基结C在N2环境中持续150 s。 MWA具有以下优点：在活化期间是无扩散的，具有低温工艺，具有较低的结泄漏电流，并且具有低的薄层电阻（Rs）和接触电阻率。在我们的研究中，通过MW和390°C的TEM和XRD分析形成了20 nm NiSiGe肖特基结。 NiSiGe / n-Si肖特基结表现出最高的正向/反向电流（ION / IOFF）比，约为〜3×10 5 。低温MWA是用于NiSiGe肖特基结制造的非常有前途的热处理技术。

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