• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Materials >Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate
【2h】

Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate

机译：硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This paper reports on an initial assessment of the direct growth of In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) solar cells on nanostructured surface Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of inserting 40 InAs/InGaAs/GaAs QDs layers in the intrinsic region of the heterojunction pin-GaAs+-Si was evaluated using photocurrent spectroscopy in comparison with pin-GaAs+-Si and pin-GaAs/GaAs without QDs. The results reveal the clear contribution of the QDs layers to the improvement of the spectral response up to 1200 nm. The novel structure has been studied by X ray diffraction (XRD), photoluminescence spectroscopy (PL) and transmission electron microscopy (TEM). These results provide considerable insights into low cost III-V material-based solar cells.
机译：本文报道了通过分子束外延（MBE）对In（Ga）As / GaAs量子点（QDs）太阳电池在纳米结构表面Si衬底上直接生长的初步评估。与pin-GaAs / n 相比，使用光电流光谱法评估了在异质结pin-GaAs / n + -Si的本征区域中插入40个InAs / InGaAs / GaAs QDs层的效果。 + -Si和不带QD的pin-GaAs / GaAs。结果表明，QDs层对于改善高达1200 nm的光谱响应具有明显的贡献。通过X射线衍射（XRD），光致发光光谱（PL）和透射电子显微镜（TEM）研究了这种新型结构。这些结果为低成本的III-V材料基太阳能电池提供了可观的见解。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号