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【2h】

Effect of Electron Blocking Layer Doping and Composition on the Performance of 310 nm Light Emitting Diodes

机译：电子阻挡层的掺杂和组成对310 nm发光二极管性能的影响

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The effects of composition and p-doping profile of the AlGaN:Mg electron blocking layer (EBL) in 310 nm ultraviolet B (UV-B) light emitting diodes (LEDs) have been investigated. The carrier injection and internal quantum efficiency of the LEDs were simulated and compared to electroluminescence measurements. The light output power depends strongly on the temporal biscyclopentadienylmagnesium (Cp2Mg) carrier gas flow profile during growth as well as on the aluminum profile of the AlGaN:Mg EBL. The highest emission power has been found for an EBL with the highest Cp2Mg carrier gas flow and a gradually decreasing aluminum content in direction to the p-side of the LED. This effect is attributed to an improved carrier injection and confinement that prevents electron leakage into the p-doped region of the LED with a simultaneously enhanced carrier injection into the active region.
机译：研究了AlGaN：Mg电子阻挡层（EBL）在310 nm紫外线B（UV-B）发光二极管（LED）中的组成和p掺杂分布的影响。模拟了LED的载流子注入和内部量子效率，并将其与电致发光测量结果进行了比较。光输出功率在很大程度上取决于生长过程中的时间双环戊二烯基镁（Cp2Mg）载气流动曲线以及AlGaN：Mg EBL的铝曲线。对于具有最高Cp2Mg载气流和在LED的p侧方向逐渐减少的铝含量的EBL，发现了最高的发射功率。该效应归因于改进的载流子注入和限制，其防止了电子泄漏到LED的p掺杂区，同时又增强了向有源区的载流子注入。

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