• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Micromachines >Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET
【2h】

Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET

机译：使用隧道FET中的SiGe源/漏区提高ESD保护的鲁棒性

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Currently, a tunnel field-effect transistor (TFET) is being considered as a suitable electrostatic discharge (ESD) protection device in advanced technology. In addition, silicon-germanium (SiGe) engineering is shown to improve the performance of TFET-based ESD protection devices. In this paper, a new TFET with SiGe source/drain (S/D) regions is proposed, and its ESD characteristics are evaluated using technology computer aided design (TCAD) simulations. Under a transmission line pulsing (TLP) stressing condition, the triggering voltage of the SiGe S/D TFET is reduced by 35% and the failure current is increased by 17% in comparison with the conventional Si S/D TFET. Physical insights relevant to the ESD enhancement of the SiGe S/D TFET are provided and discussed.
机译：当前，在先进技术中，隧道场效应晶体管（TFET）被认为是合适的静电放电（ESD）保护器件。此外，硅锗（SiGe）工程被证明可以改善基于TFET的ESD保护器件的性能。本文提出了一种具有SiGe源/漏（S / D）区域的新型TFET，并使用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真来评估其ESD特性。与传统的Si S / D TFET相比，在传输线脉冲（TLP）应力条件下，SiGe S / D TFET的触发电压降低了35％，故障电流增加了17％。提供并讨论了与SiGe S / D TFET的ESD增强相关的物理见解。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号