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【2h】

Miniaturization of CMOS

机译：CMOS的小型化

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摘要

When the international technology roadmap of semiconductors (ITRS) started almost five decades ago, the metal oxide effect transistor (MOSFET) as units in integrated circuits (IC) continuously miniaturized. The transistor structure has radically changed from its original planar 2D architecture to today’s 3D Fin field-effect transistors (FinFETs) along with new designs for gate and source/drain regions and applying strain engineering. This article presents how the MOSFET structure and process have been changed (or modified) to follow the More Moore strategy. A focus has been on methodologies, challenges, and difficulties when ITRS approaches the end. The discussions extend to new channel materials beyond the Moore era.
机译：当国际半导体技术路线图（ITRS）在大约五十年前开始时，作为集成电路（IC）中单元的金属氧化物效应晶体管（MOSFET）不断小型化。晶体管的结构已经从原来的平面2D架构彻底改变为当今的3D Fin场效应晶体管（FinFET），以及针对栅极和源极/漏极区域以及应用应变工程的新设计。本文介绍了如何更改（或修改）MOSFET的结构和工艺以遵循摩尔定律。当ITRS接近尾声时，重点放在方法，挑战和困难上。讨论延伸到摩尔时代以后的新渠道材料。

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