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Twin domain imaging in topological insulator Bi2Te3 and Bi2Se3 epitaxial thin films by scanning X-ray nanobeam microscopy and electron backscatter diffraction

机译：通过扫描X射线纳米束显微镜和电子背散射衍射在拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3外延薄膜中进行双畴成像

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The twin distribution in topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 was imaged by electron backscatter diffraction (EBSD) and scanning X-ray diffraction microscopy (SXRM). The crystal orientation at the surface, determined by EBSD, is correlated with the surface topography, which shows triangular pyramidal features with edges oriented in two different orientations rotated in the surface plane by 60°. The bulk crystal orientation is mapped out using SXRM by measuring the diffracted X-ray intensity of an asymmetric Bragg peak using a nano-focused X-ray beam scanned over the sample. By comparing bulk- and surface-sensitive measurements of the same area, buried twin domains not visible on the surface are identified. The lateral twin domain size is found to increase with the film thickness.
机译：通过电子背散射衍射（EBSD）和扫描X射线衍射显微镜（SXRM）对拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3中的孪晶分布进行成像。由EBSD确定的表面晶体取向与表面形貌相关，该形貌显示出三角形的金字塔形特征，其边缘以两种不同的取向取向，在表面平面中旋转了60°。通过使用在样品上扫描的纳米聚焦X射线束测量不对称布拉格峰的衍射X射线强度，使用SXRM绘制出大块晶体取向。通过比较同一区域的体积敏感和表面敏感测量，可以识别出表面上不可见的掩埋孪晶畴。发现横向孪晶畴尺寸随膜厚度增加。

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