机译:通过单层MoS2 / LiNbO3的直接生长可扩展地制造混合型场效应和声电装置
机译:通过单层MoS 2 sub> / LiNbO 3 sub>的直接生长可扩展地制造混合型场效应和声电器件
机译:石墨烯纳米带的直接生长用于大规模器件制造
机译:双栅极单层MoS2沟道场效应晶体管的静电学建模
机译:单层MoS2和MoS2 /量子点杂化物:新型光电材料。
机译:质量因子超过4000的MoS2 / SiO2杂化纳米光子腔阵列的可扩展和无转移制造
机译:通过直接生长单层MOS2 / LINBO3来缩放混合场效应和声学设备的可伸缩制造