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Laser restructuring and photoluminescence of glass-clad GaSb/Si-core optical fibres

机译：玻璃包覆GaSb / Si芯光纤的激光重组和光致发光

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Semiconductor-core optical fibres have potential applications in photonics and optoelectronics due to large nonlinear optical coefficients and an extended transparency window. Laser processing can impose large temperature gradients, an ability that has been used to improve the uniformity of unary fibre cores, and to inscribe compositional variations in alloy systems. Interest in an integrated light-emitting element suggests a move from Group IV to III-V materials, or a core that contains both. This paper describes the fabrication of GaSb/Si core fibres, and a subsequent CO2 laser treatment that aggregates large regions of GaSb without suppressing room temperature photoluminescence. The ability to isolate a large III-V crystalline region within the Si core is an important step towards embedding semiconductor light sources within infrared light-transmitting silicon optical fibre.
机译：由于大的非线性光学系数和扩展的透明窗口，半导体芯光纤在光子学和光电子学中具有潜在的应用。激光加工会产生较大的温度梯度，这种能力已被用来改善一元纤维芯的均匀性，并在合金系统中记录成分变化。对集成发光元件的兴趣表明，是从IV组材料过渡到III-V组材料，还是包含这两种材料的核心。本文介绍了GaSb / Si芯纤维的制造以及随后的CO2激光处理，该处理会聚集GaSb的大部分区域而不会抑​​制室温的光致发光。隔离Si内核中较大的III-V晶体区域的能力是将半导体光源嵌入红外光传输硅光纤的重要一步。

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