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Resistive switching in optoelectronic III-V materials based on deep traps

机译：基于深陷阱的光电III-V材料的电阻切换

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摘要

Resistive switching random access memories (ReRAM) are promising candidates for energy efficient, fast, and non-volatile universal memories that unite the advantages of RAM and hard drives. Unfortunately, the current ReRAM materials are incompatible with optical interconnects and wires. Optical signal transmission is, however, inevitable for next generation memories in order to overcome the capacity-bandwidth trade-off. Thus, we present here a proof-of-concept of a new type of resistive switching realized in III-V semiconductors, which meet all requirements for the implementation of optoelectronic circuits. This resistive switching effect is based on controlling the spatial positions of vacancy-induced deep traps by stimulated migration, opening and closing a conduction channel through a semi-insulating compensated surface layer. The mechanism is widely applicable to opto-electronically usable III-V compound semiconductors.
机译：电阻切换随机存取存储器（ReRAM）是节能高效，快速且非易失性通用存储器的有前途的候选者，这些存储器结合了RAM和硬盘驱动器的优点。不幸的是，当前的ReRAM材料与光学互连和导线不兼容。然而，为了克服容量-带宽的折衷，下一代存储器不可避免地要进行光信号传输。因此，我们在此提供在III-V半导体中实现的新型电阻开关的概念验证，该开关可满足实现光电电路的所有要求。这种电阻切换效果是基于通过半迁移补偿表面层的受激迁移，打开和关闭传导通道来控制空位引起的深陷阱的空间位置。该机制广泛适用于光电可用的III-V化合物半导体。

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