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【2h】

Hierarchical Sheet-on-Sheet ZnIn2S4/g-C3N4 Heterostructure with Highly Efficient Photocatalytic H2 production Based on Photoinduced Interfacial Charge Transfer

机译：基于光诱导界面电荷转移的高效光催化氢气产生层状片状ZnIn2S4 / g-C3N4异质结构

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摘要

We have realized in-situ growth of ultrathin ZnIn2S4 nanosheets on the sheet-like g-C3N4 surfaces to construct a “sheet-on-sheet” hierarchical heterostructure. The as-synthesized ZnIn2S4/g-C3N4 heterojunction nanosheets exhibit remarkably enhancement on the photocatalytic activity for H2 production. This enhanced photoactivity is mainly attributed to the efficient interfacial transfer of photoinduced electrons and holes from g-C3N4 to ZnIn2S4 nanosheets, resulting in the decreased charge recombination on g-C3N4 nanosheets and the increased amount of photoinduced charge carriers in ZnIn2S4 nanosheets. Meanwhile, the increased surface-active-sites and extended light absorption of g-C3N4 nanosheets after the decoration of ZnIn2S4 nanosheets may also play a certain role for the enhancement of photocatalytic activity. Further investigations by the surface photovoltage spectroscopy and transient photoluminescence spectroscopy demonstrate that ZnIn2S4/g-C3N4 heterojunction nanosheets considerable boost the charge transfer efficiency, therefore improve the probability of photoinduced charge carriers to reach the photocatalysts surfaces for highly efficient H2 production.
机译：我们已经实现了在片状g-C3N4表面上超薄ZnIn2S4纳米片的原位生长，以构建“片对片”分层异质结构。合成后的ZnIn2S4 / g-C3N4异质结纳米片表现出对H2产生的光催化活性显着增强。这种增强的光活性主要归因于光致电子和空穴从g-C3N4到ZnIn2S4纳米片的有效界面转移，从而导致g-C3N4纳米片上的电荷重组减少，并且ZnIn2S 4 < / sub>纳米片。同时，装饰ZnIn 2 S 后，gC 3 N 4 纳米片的表面活性部位增加，光吸收延长。 4 纳米片在增强光催化活性方面也可能起一定作用。表面光电压光谱和瞬态光致发光光谱的进一步研究表明，ZnIn 2 S 4 / gC 3 N 4 异质结纳米片大大提高了电荷转移效率，因此提高了光诱导电荷载流子到达光催化剂表面的可能性，从而实现了高效H 2 的生产。

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