机译:氢诱导铁中{110} [111]边和{110} [111]螺旋位错的核心结构变化
机译:位错核心对bcc-iron中1/2 <111> i {110}边缘位错滑移的影响:嵌入式原子方法研究
机译:铝合金中的1/2 <110> {111}螺旋脱位的核心结构和热变换
机译:钨在氢中引起的螺杆和边缘位移的核心结构变化
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:从摆动的金纳米结构的成核到GaAs(111)A(110)(100)和(111)B上的圆顶状Au液滴
机译:<110>通过纳米尺度1/2 <111>棱柱形位错环之间的聚结的脱位结形成
机译:Bi206,Tl200,Tl201,Tl202,In109,In110m和In111的一些核性质Bi206,Tl200,Tl201和Tl202的核自旋In109,In110m和In111的核自旋,磁偶极子和电四极相互作用常数