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Memory characteristics of silicon nanowire transistors generated by weak impact ionization

机译：弱碰撞电离产生的硅纳米线晶体管的存储特性

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In this study, we demonstrate the static random access memory (SRAM) characteristics generated by weak impact ionization in bendable field-effect transistors (FETs) with n⁺-p-n⁺ silicon nanowire (SiNW) channels. Our bendable SiNW FETs show not only superior switching characteristics such as an on/off current ratio of ~10⁵ and steep subthreshold swing (~5 mV/dec) but also reliable SRAM characteristics. The SRAM characteristics originate from the positive feedback loops in the SiNW FETs generated by weak impact ionization. This paper describes in detail the operating mechanism of our device and demonstrates the potential of bendable SiNW FETs for future SRAM applications.

机译：在这项研究中，我们证明了弱冲击电离在具有n ^{+ -pn ^{+ 硅的可弯曲场效应晶体管（FET）中产生的静态随机存取存储器（SRAM）特性纳米线（SiNW）通道。我们的可弯曲SiNW FET不仅显示出出色的开关特性，例如开/关电流比约为10 ^{5 和陡峭的亚阈值摆幅（〜5µmV / dec），而且还具有可靠的SRAM特性。 SRAM特性源自于SiNW FET中的弱反馈电离产生的正反馈环路。本文详细描述了我们器件的工作机制，并演示了可弯曲SiNW FET在未来SRAM应用中的潜力。}}}

著录项

期刊名称 Scientific Reports
作者
Doohyeok Lim; Minsuk Kim; Yoonjoong Kim; Sangsig Kim;
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作者单位

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年(卷),期 -1(7),-1
年度 -1
页码 12436
总页数 10
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