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【2h】

Effect of grain orientations of Cu seed layers on the growth of 111-oriented nanotwinned Cu

机译：铜籽晶层的晶粒取向对111取向纳米孪晶铜生长的影响

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We investigate the growth of Cu films on two different Cu seed layers: one with regular <111>-oriented grains and the other with very strong <111>-preferred orientation. It is found that densely-packed nanotwinned Cu (nt-Cu) can be grown by pulsed electroplating on the strong <111>-oriented Cu seed layer without a randomly-oriented transition layer between the nt-Cu and the Cu seed layer. The electroplated nt-Cu grow almost epitaxially on the seed layer and formed <111>-oriented columnar structures. However, with the regular <111>-oriented Cu seed, there is a randomly-oriented transition layer between the nt-Cu and the regular <111>-oriented Cu seed. The results indicate that the seed layer plays a crucial role on the regularity of <111>-oriented nanotwinned Cu.
机译：我们研究了在两个不同的铜种子层上生长的铜膜：一个具有规则的<111>取向晶粒，另一个具有非常强的<111>优先取向。发现可以通过在强<111>取向的Cu籽晶层上进行脉冲电镀来生长密集堆积的纳米孪晶Cu（nt-Cu），而在nt-Cu和Cu籽晶层之间没有随机取向的过渡层。电镀的nt-Cu几乎在种子层上外延生长，并形成<111>取向的柱状结构。然而，对于规则的<111>取向的Cu种子，在nt-Cu和规则的<111>取向的Cu种子之间存在随机取向的过渡层。结果表明，晶种层对<111>取向纳米孪晶Cu的规则性起着至关重要的作用。

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