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【2h】

Infrared Properties and Terahertz Wave Modulation of Graphene/MnZn Ferrite/p-Si Heterojunctions

机译：石墨烯/ MnZn铁氧体/ p-Si异质结的红外特性和太赫兹波调制

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MnZn ferrite thin films were deposited on p-Si substrate and used as the dielectric layer in the graphene field effect transistor for infrared and terahertz device applications. The conditions for MnZn ferrite thin film deposition were optimized before device fabrication. The infrared properties and terahertz wave modulation were studied at different gate voltage. The resistive and magnetic MnZn ferrite thin films are highly transparent for THz wave, which make it possible to magnetically modulate the transmitted THz wave via the large magnetoresistance of graphene monolayer.Electronic supplementary materialThe online version of this article (doi:10.1186/s11671-017-2250-2) contains supplementary material, which is available to authorized users.
机译：MnZn铁氧体薄膜沉积在p-Si衬底上，并用作红外和太赫兹器件应用中的石墨烯场效应晶体管中的介电层。在器件制造之前，对MnZn铁氧体薄膜沉积的条件进行了优化。研究了不同栅极电压下的红外特性和太赫兹波调制。电阻性和磁性MnZn铁氧体薄膜对于太赫兹波非常透明，这使得可以通过石墨烯单层的大磁阻来磁调制透射的太赫兹波。电子补充材料本文的在线版本（doi：10.1186 / s11671-017） -2250-2）包含补充材料，授权用户可以使用。

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