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首页> 美国卫生研究院文献>Nanoscale Research Letters >Silicon quantum dot superlattice solar cell structure including silicon nanocrystals in a photogeneration layer
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Silicon quantum dot superlattice solar cell structure including silicon nanocrystals in a photogeneration layer

机译：在光生层中包括硅纳米晶体的硅量子点超晶格太阳能电池结构

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The solar cell structure of n-type poly-silicon/5-nm-diameter silicon nanocrystals embedded in an amorphous silicon oxycarbide matrix (30 layers)/p-type hydrogenated amorphous silicon/Al electrode was fabricated on a quartz substrate. An open-circuit voltage and a fill factor of 518 mV and 0.51 in the solar cell were obtained, respectively. The absorption edge of the solar cell was 1.49 eV, which corresponds to the optical bandgap of the silicon nanocrystal materials, suggesting that it is possible to fabricate the solar cells with silicon nanocrystal materials, whose bandgaps are wider than that of crystalline silicon.PACS85.35.Be; 84.60.Jt; 78.67.Bf
机译：在石英衬底上制造嵌入在非晶碳氧化硅基体（30层）/ p型氢化非晶硅/ Al电极中的n型多晶硅/ 5nm直径硅纳米晶体的太阳能电池结构。太阳能电池的开路电压和填充系数分别为518 mV和0.51。太阳能电池的吸收边为1.49 eV，与硅纳米晶体材料的光学带隙相对应，这表明可以用带隙宽于晶体硅PACS85的硅纳米晶体材料制造太阳能电池。 35。 84.60。 78.67.Bf

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