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Fano effect and bound state in continuum in electron transport through an armchair graphene nanoribbon with line defect

机译：带有线缺陷的扶手椅状石墨烯纳米带的电子输运过程中的范诺效应和束缚态

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Electron transport properties in an armchair graphene nanoribbon are theoretically investigated by considering the presence of line defect. It is found that the line defect causes the abundant Fano effects and bound state in continuum (BIC) in the electron transport process, which are tightly dependent on the width of the nanoribbon. By plotting the spectra of the density of electron states of the line defect, we see that the line defect induces some localized quantum states around the Dirac point and that the different localizations of these states lead to these two kinds of transport results. Next, the Fano effect and BIC phenomenon are detailedly described via the analysis about the influence of the structure parameters. According to the numerical results, we propose such a structure to be a promising candidate for graphene nanoswitch.
机译：理论上通过考虑线缺陷的存在来研究扶手椅石墨烯纳米带中的电子传输性能。发现线缺陷在电子传输过程中引起丰富的Fano效应和连续体（BIC）的束缚态，而束缚态与纳米带的宽度紧密相关。通过绘制线缺陷的电子态密度的谱图，我们看到线缺陷在狄拉克点附近诱发了一些局部量子态，并且这些态的不同局部化导致了两种传输结果。接下来，通过关于结构参数的影响的分析来详细描述Fano效应和BIC现象。根据数值结果，我们提出这样的结构是石墨烯纳米开关的有希望的候选者。

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