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Triangle pore arrays fabricated on Si (111) substrate by sphere lithography combined with metal-assisted chemical etching and anisotropic chemical etching

机译：球面光刻技术结合金属辅助化学刻蚀和各向异性化学刻蚀在Si（111）衬底上制造的三角形孔阵列

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The morphological change of silicon macropore arrays formed by metal-assisted chemical etching using shape-controlled Au thin film arrays was investigated during anisotropic chemical etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution. After the deposition of Au as the etching catalyst on (111) silicon through a honeycomb mask prepared by sphere lithography, the specimens were etched in a mixed solution of HF and H2O2 at room temperature, resulting in the formation of ordered macropores in silicon along the [111] direction, which is not achievable by conventional chemical etching without a catalyst. In the anisotropic etching in TMAH, the macropores changed from being circular to being hexagonal and finally to being triangular, owing to the difference in etching rate between the crystal planes.
机译：在四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液中进行各向异性化学蚀刻过程中，研究了使用形状控制的金薄膜阵列通过金属辅助化学蚀刻形成的硅大孔阵列的形貌变化。通过球面光刻技术制备的蜂窝状掩模在（111）硅上沉积Au作为腐蚀催化剂后，在室温下将样品在HF和H2O2的混合溶液中腐蚀，导致沿硅沿硅形成有序的大孔[111]方向，而没有催化剂则无法通过常规化学蚀刻实现。在TMAH中的各向异性蚀刻中，由于晶面之间的蚀刻速率的差异，大孔从圆形变为六边形，最后变为三角形。

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