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首页> 美国卫生研究院文献>Nanoscale Research Letters >Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces
【2h】

Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces

机译：具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长

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InAs/GaSb type II superlattices were grown on (100) GaSb substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). A plane of mixed As and Sb atoms connecting the InAs and GaSb layers was introduced to compensate the tensile strain created by the InAs layer in the SL. Characterizations of the samples by atomic force microscopy and high-resolution X-ray diffraction demonstrate flat surface morphology and good crystalline quality. The lattice mismatch of approximately 0.18% between the SL and GaSb substrate is small compared to the MOCVD-grown supperlattice samples reported to date in the literature. Considerable optical absorption in 2- to 8-μm infrared region has been realized.>PACS: 78.67.Pt; 81.15.Gh; 63.22.Np; 81.05.Ea
机译：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在（100）GaSb衬底上生长InAs / GaSb II型超晶格。引入了连接InAs和GaSb层的As和Sb混合原子平面，以补偿SL中InAs层产生的拉伸应变。通过原子力显微镜和高分辨率X射线衍射对样品进行表征，显示出平坦的表面形态和良好的结晶质量。与迄今文献中报道的MOCVD生长的超晶格样品相比，SL和GaSb衬底之间的晶格失配约为0.18％。 > PACS： 78.67.Pt；在2至8μm的红外区域实现了相当大的光吸收。 81.15.Gh; 63.22.Np; 81.05.Ea

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