• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Nanoscale Research Letters >Design and Analysis of Nanotube-Based Memory Cells
【2h】

Design and Analysis of Nanotube-Based Memory Cells

机译：基于纳米管的存储单元的设计与分析

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this paper, we proposed a nanoelectromechanical design as memory cells. A simple design contains a double-walled nanotube-based oscillator. Atomistic materials are deposed on the outer nanotube as electrodes. Once the WRITE voltages are applied on electrodes, the induced electromagnetic force can overcome the interlayer friction between the inner and outer tubes so that the oscillator can provide stable oscillations. The READ voltages are employed to indicate logic 0/1 states based on the position of the inner tube. A new continuum modeling is developed in this paper to analyze large models of the proposed nanoelectromechanical design. Our simulations demonstrate the mechanisms of the proposed design as both static and dynamic random memory cells.
机译：在本文中，我们提出了一种纳米机电设计作为存储单元。一个简单的设计包含一个基于纳米管的双壁振荡器。原子材料作为电极沉积在外部纳米管上。一旦将WRITE电压施加到电极上，感应的电磁力就可以克服内管和外管之间的层间摩擦，从而使振荡器可以提供稳定的振荡。读取电压用于根据内管的位置指示逻辑0/1状态。本文开发了一种新的连续模型，以分析所提出的纳米机电设计的大型模型。我们的仿真证明了提出的设计为静态和动态随机存储单元的机制。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号