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【2h】

Ohmic Contacts on p-Type Al-Implanted 4H-SiC Layers after Different Post-Implantation Annealings

机译：在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触

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This paper reports on the electrical activation and Ohmic contact properties on p-type Al-implanted silicon carbide (4H-SiC). In particular, the contacts were formed on 4H-SiC-implanted layers, subjected to three different post-implantation annealing processes, at 1675 °C, 1175 °C, and 1825 °C. Under these post-implantation annealing conditions, the electrical activation of the Al dopant species increased from 39% to 56%. The Ti/Al/Ni contacts showed an Ohmic behavior after annealing at 950 °C. The specific contact resistance could be lowered by a factor of 2.6 with the increase of the post-implantation annealing temperature. The result can be useful for application in device fabrication. Moreover, the dependence of on the active acceptor concentration followed the thermionic field emission model, with a barrier height of 0.63 eV.
机译：本文报道了p型铝注入碳化硅（4H-SiC）的电活化和欧姆接触特性。特别是，在4H-SiC注入层上形成触点，并在1675°C，1175°C和1825°C下进行三种不同的注入后退火工艺。在这些植入后退火条件下，Al掺杂物质的电活化从39％增加到56％。 Ti / Al / Ni触点在950°C退火后表现出欧姆行为。随着植入后退火温度的升高，比电阻可降低2.6倍。该结果对于在器件制造中的应用可能是有用的。此外，对活性受体浓度的依赖性遵循热电子场发射模型，势垒高度为0.63 eV。

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