首页> 美国卫生研究院文献>Materials >Control of Eu Oxidation State in Y2O3−xSx:Eu Thin-Film Phosphors Prepared by Atomic Layer Deposition: A Structural and Photoluminescence Study
【2h】

Control of Eu Oxidation State in Y2O3−xSx:Eu Thin-Film Phosphors Prepared by Atomic Layer Deposition: A Structural and Photoluminescence Study

机译:通过原子层沉积制备的Y2O3-xSx:Eu薄膜荧光粉中Eu氧化态的控制:结构和光致发光研究

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Structural and photoluminescence studies were carried out on Eu-doped Y O S thin films grown by atomic layer deposition at 300 °C. (CH Cp) Y, H O, and H S were used as yttrium, oxygen, and sulfur precursors, respectively, while Eu(thd) was used as the europium precursor. The Eu oxidation state was controlled during the growth process by following the Eu(thd) pulse with either a H S or O pulse. The Eu(thd) /O pulse sequence led to photoluminescence emission above 550 nm, whereas the Eu(thd) /H S pulse sequence resulted in emission below 500 nm.
机译:对通过原子层沉积在300°C下生长的Eu掺杂Y O S薄膜进行了结构和光致发光研究。 (CH Cp)Y,H O和H S分别用作钇,氧和硫的前体,而Eu(thd)用作the的前体。通过跟随Eu(thd)脉冲和H S或O脉冲来控制生长过程中的Eu氧化态。 Eu(thd)/ O脉冲序列导致550 nm以上的光致发光发射,而Eu(thd)/ H S脉冲序列导致500 nm以下的发射光。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号