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Gas Permeation Property of Silicon Carbide Membranes Synthesized by Counter-Diffusion Chemical Vapor Deposition

机译：逆扩散化学气相沉积法合成碳化硅膜的透气性能

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An amorphous silicon carbide (SiC) membrane was synthesized by counter-diffusion chemical vapor deposition (CDCVD) using silacyclobutane (SCB) at 788 K. The SiC membrane on a Ni-γ-alumina (Al O ) α-coated Al O porous support possessed a H permeance of 1.2 × 10 mol·m ·s ·Pa and an excellent H /CO selectivity of 2600 at 673 K. The intermittent action of H reaction gas supply and vacuum inside porous support was very effective to supply source gas inside mesoporous intermediate layer. A SiC active layer was formed inside the Ni-γ-Al O intermediate layer. The thermal expansion coefficient mismatch between the SiC active layer and Ni-γ-Al O -coated α-Al O porous support was eased by the low decomposition temperature of the SiC source and the membrane structure.
机译：使用硅环丁烷（SCB）在788 K下通过反扩散化学气相沉积（CDCVD）合成了非晶碳化硅（SiC）膜。在Ni-γ-氧化铝（Al O）α包覆的Al O多孔载体上形成SiC膜H的渗透率为1.2×10 mol·m·s·Pa·673 K时H / CO的选择性为2600。多孔载体内H反应气的供给和真空的间歇作用非常有效地在中孔内供给原料气中间层。在Ni-γ-AlO中间层内部形成了SiC活性层。由于SiC源的低分解温度和膜结构，缓解了SiC活性层和Ni-γ-AlO包覆的α-AlO多孔载体之间的热膨胀系数不匹配。

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